杨广华(讲师)

时间:2016-06-20来源:电气工程学院点击次数:246

杨广华

杨广华 讲师

个人资料

1973年生,博士。

主要经历

教育经历:

1992.9-1996.7.9  天津纺织工学院机械工程系    纺织机械专业 本科

2001.9-2004.7 南开大学光电子所 微电子学与固体电子学 硕士研究生

2006.9-2010.10  天津大学电信学院 微电子学与固体电子学 博士研究生


企业工作经历

1996.7-2001.9   天津纺织机械厂设研所、 瑞士腾马等公司供职

2004.6-今      天津工业大学

研究方向

光源与照明、半导体器件、智能控制

科研项目

在科研方面,近五年来参与了多项国家级和天津市级科学项目。

  1. 参加了国家自然科学基金项目“与CMOS兼容硅基Perl结构发光二极管(LED)研究”,结题。

  2. 参加了国家自然科学基金项目 “基于电子辐照技术提高LED发光效率的实验”项目,结题。

  3. 参加国家自然科学基金项目“金属光子晶体增强硅基LED光关键技术研究”,在研。

  4. 参加科技部火炬高技术产业计划项目“半导体照明公共检测与信息服务平台”,结题。

  5. 主持,横向课题,“基于国产大功率芯片的半导体照明灯具开发及研制”,结题。

  6. 参加天津市科技计划项目“金属光子晶体增强GaNLED光提取效率研究”项目,在研。

7. 参加天津市科技计划项目“天津市半导体照明公共技术服务平台”,结题。

8. 参加天津市科技攻关项目"适合现场使用的便携式微型光电显微检测仪",结题。

9. 参与了天津市科技发展计划项目"氮化镓基发光二极管器件制备的关键技术件研究",结题。

10.参加了国家重点自然科学基金项目“硅基单片光电子集成回路(OEIC)的关键技术及相关理论研究,结题;

11.参加了国家863计划"大功率LED汽车灯"研制工作等科研项目。

代表论文

1.杨广华,李晓云.电极版图对硅LED性能的影响.发光学报2011 vol.32 No.4.(EI: 20112114006965)

2.杨广华,李玉兰,于莉媛.基于低频噪声的LED寿命研究.电工技术学报,201328EI20142117745420

3.杨广华,毛陆虹,黄春红,et al.标准CMOS工艺栅控Si LED设计及研究.光电子激光.2010.5 vol.21 No.5 P644-646 (EI: 20102513020954)

4.杨广华,毛陆虹,黄春红,et al.条形叉指N-P sub结硅LED设计及分析.发光学报 2010.3 vol.31 No.3 P369-371EI: 20103113111053

5. Yang Guang-hua,Mao Lu-hong,Huang Chun-hong,et al,Design and fabrication of Si LED with the N-Well-P+ junction based on standard CMOS technology, Optoelectronics letters, 2010.1,vol.6 No.1 P0015-0017(EI: 20103913257739)

6.Yang Guang-hua, Wang wei.Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED fabricated by Standard CMOS Technology.Semiconductor phonics and technology.2010.2-3. vol.16 No.2/3 P084-087

获奖情况

1.2013年获“半导体照明科技创新平台建设”项目获天津市科技进步三等奖,排名第一

2.2013年度获天津工业大学“教工先锋岗”荣誉;

3.2007年参加“新型半导体节能灯”项目的研制工作,获得天津市科学技术进步奖三等奖,第5

4.带领2006级学生参加第十届天津“挑战杯”大学生课外学术科技作品竞赛,获得一等奖,被评为优秀指导教师;

5.2007年主要参加研制的“微型光电显微检测仪”项目获得天津市技术监督局质量科技进步二等奖



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